無(wú)掩膜光刻機(jī)?采用逐點(diǎn)掃描、像素拼接的直寫(xiě)成像方式，在制備細(xì)線條、尖角、圓弧結(jié)構(gòu)時(shí)，極易出現(xiàn)圖形邊緣臺(tái)階狀鋸齒、毛刺粗糙問(wèn)題，直接增大線邊緣粗糙度，導(dǎo)致后續(xù)刻蝕、剝離工藝出現(xiàn)邊緣缺陷，是微納直寫(xiě)加工中普遍的工藝問(wèn)題。
MORE INFO → 行業(yè)動(dòng)態(tài) 2026-10-12
無(wú)掩膜光刻機(jī)?依靠高精度光學(xué)聚焦系統(tǒng)，將數(shù)字圖形直接投影至光刻膠表面，實(shí)現(xiàn)微納結(jié)構(gòu)直寫(xiě)加工，焦點(diǎn)穩(wěn)定性是保證線寬精度與圖形清晰度的核心。
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在絕緣基底或者表面絕緣光刻膠樣品曝光時(shí)，容易出現(xiàn)襯底充電效應(yīng)，造成圖形扭曲、線寬不均、圖形邊緣毛刺，是電子束光刻?工藝中高頻出現(xiàn)的工藝難題。
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電子束直寫(xiě)?加工依靠高壓電子束在光刻膠表面逐點(diǎn)掃描完成納米圖形制備，束流穩(wěn)定性直接決定圖形定位精度，束流漂移是加工過(guò)程中十分常見(jiàn)的精度問(wèn)題。
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掩膜光刻?依靠空間光調(diào)制器調(diào)制光束，將數(shù)字化圖形投影至光刻膠表面，光束光場(chǎng)分布直接決定曝光劑量均勻性，視場(chǎng)內(nèi)劑量不均會(huì)造成同一批次樣品、同一片基底不同位置線寬差異過(guò)大，是微納加工中典型的工藝難題。
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在微納加工領(lǐng)域，無(wú)掩膜光刻?依靠數(shù)字光學(xué)投影直接在光刻膠表面生成目標(biāo)圖形，省去傳統(tǒng)物理掩模版，非常適合小批量、多品種的研發(fā)試樣加工。
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臨界尺寸是微納圖形核心指標(biāo)，無(wú)掩膜光刻機(jī)?加工時(shí)，經(jīng)常出現(xiàn)同一片基底上不同位置線條寬窄不一致，也就是臨界尺寸波動(dòng)。
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無(wú)掩膜光刻機(jī)?依靠數(shù)字圖形直寫(xiě)完成曝光，無(wú)需制作實(shí)體掩模版，在小批量微納結(jié)構(gòu)加工中具備突出優(yōu)勢(shì)，但在大尺寸基底加工時(shí)容易出現(xiàn)圖形拼接偏差，直接影響器件良率。
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