掃描電鏡電子束穿透深度差異引發的圖像信息混疊機理

掃描電鏡?成像時，入射電子束轟擊樣品表層，電子會在材料內部發生散射，形成一定范圍的作用區域，電子束穿透深度由加速電壓和樣品基體材料屬性共同決定。

掃描電鏡二次電子信號采集不均對成像襯度的影響規律

掃描電鏡?依靠聚焦電子束逐點掃過樣品表面，激發產生二次電子信號，通過信號探測器收集信號完成表面形貌成像。

無掩膜光刻機?內部光路包含光源、準直組件、調制芯片、投影物鏡等多個光學元件，光束在光路傳輸過程中，除了參與有效曝光的主光束之外，還會產生各類雜散光。

無掩膜光刻機?依托數字化空間光調制單元完成圖形直寫，省去傳統光刻工藝所需掩模版，依靠光束調制與載臺掃描協同完成微納結構的轉移成型。

掃描電鏡?成像時，入射電子束轟擊樣品之后會在材料內部形成一定范圍的電子作用區，電子束會穿透樣品表層向內部擴散，穿透深度由加速電壓和樣品材料密度共同決定。采集二次電子信號時，只有極淺表層產生的電子可以逸出被探測。

掃描電鏡?依靠二次電子信號采集樣品表面形貌信息，二次電子從樣品表面發射時具備發散特性，不同位置發射的電子出射方向各不相同，探測器擁有固定的接收角度范圍，只有落入收集窗口內的電子才能夠被有效捕獲。

無掩膜光刻機依靠 DMD 芯片海量微鏡的翻轉控制光路通斷，實現數字圖形的調制輸出，微鏡本身屬于周期性陣列結構，光束照射到 DMD 陣列表面時會發生多級衍射，產生大量偏離主光路的雜散光，這些雜散光經過物鏡內部鏡片多次反射散射之后，均勻彌散在整個曝光視場內，形成基礎的背景灰霧劑量。

無掩膜光刻機?采用投影式光學曝光方式，光線垂直或者小角度入射到光刻膠層內部，一部分光會在光刻膠與基底的分界面發生反射，反射光和入射光相互干涉，在光刻膠膜層內部形成周期性強弱交替的駐波場，直接改變光刻膠縱向方向上的曝光能量分布。