無(wú)掩膜光刻機(jī)內(nèi)部光路包含光源、準(zhǔn)直組件、調(diào)制芯片、投影物鏡等多個(gè)光學(xué)元件，光束在光路傳輸過(guò)程中，除了參與有效曝光的主光束之外，還會(huì)產(chǎn)生各類(lèi)雜散光。雜散光來(lái)源于光學(xué)界面的微弱反射、元件內(nèi)部散射以及調(diào)制單元衍射旁瓣，這類(lèi)光線不按照預(yù)設(shè)光路匯聚到目標(biāo)曝光點(diǎn)位，會(huì)在曝光視場(chǎng)內(nèi)形成額外的背景能量。

雜散光帶來(lái)的背景能量會(huì)疊加在光刻膠表面，改變局部區(qū)域的總曝光劑量，進(jìn)而干擾光刻膠的光化學(xué)反應(yīng)進(jìn)程。在大面積空白區(qū)域、孤立細(xì)線結(jié)構(gòu)、微小孔洞圖形位置，雜散光帶來(lái)的劑量擾動(dòng)影響會(huì)更為突出，容易出現(xiàn)底膜殘留、孔洞收縮、線條粗細(xì)不均等成型問(wèn)題。不同品牌型號(hào)設(shè)備的光路消雜光結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、光學(xué)鍍膜方案存在差異，雜散光的強(qiáng)度以及空間分布特征各不相同，對(duì)應(yīng)的光刻膠成型受影響程度也有明顯區(qū)別。雜散光的影響具備累積特性，長(zhǎng)時(shí)間連續(xù)曝光工況下，背景能量持續(xù)疊加，成型圖形的一致性會(huì)逐步下降，是制約大視場(chǎng)批量直寫(xiě)工藝穩(wěn)定性的重要因素。