掃描電鏡（SEM）通常是通過測量電子束與樣品表面交互的信號來獲取圖像。掃描電鏡圖像主要基于二次電子發(fā)射（SE）和反射電子（BSE）的檢測。這兩種信號提供了關于樣品表面形貌、拓撲和化學成分的信息。

二次電子發(fā)射（SE）： 當高能電子束照射到樣品表面時，激發(fā)并釋放出二次電子。二次電子的發(fā)射數量與樣品表面的拓撲結構有關，因此通過檢測二次電子的發(fā)射，可以獲取關于樣品表面形貌和拓撲的信息。這種信號主要用于獲取表面的形貌信息。

反射電子（BSE）： 反射電子是由樣品中的原子核反射的電子。這些電子的能量與樣品的原子序數有關，因此BSE圖像提供了關于樣品的化學成分和原子序數的信息。BSE圖像通常用于觀察材料的化學組成和結構。

深度信息的獲取通常依賴于掃描電鏡的工作模式。在一般的表面拓撲圖像中，主要使用二次電子圖像。要獲取深度信息，可以采用以下方法之一：

焦平面深度信息： 通過調整掃描電鏡的焦平面，可以在一定程度上獲取樣品表面的深度信息。對焦平面的調整會影響二次電子的信號強度，從而提供一些深度信息。

掃描電子顯微鏡的傾斜視角： 通過傾斜樣品或調整電子束的入射角度，可以獲得不同角度下的圖像，從而獲取深度信息。這種方法有助于構建三維表面拓撲信息。

ZEM20臺式掃描電鏡

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