電子束光刻機依靠聚焦電子束直接在光刻膠上繪制納米圖形，無需光學掩模，憑借超高分辨率，廣泛用于微納器件、量子芯片、光電子器件以及掩模板制備。但電子與光刻膠、襯底之間的散射作用，會帶來難以規避的鄰近效應，直接影響圖形的尺寸與輪廓質量，是工藝調試中常遇到的難題。

當高能電子束入射到光刻膠層時，電子會發生兩種散射：前散射和背散射。前散射發生在光刻膠內部，電子小角度偏轉，讓曝光區域輕微擴大；背散射是電子穿透光刻膠打到襯底材料，與襯底原子發生相互作用后反向彈回光刻膠，在距離主曝光點很遠的區域釋放能量。這些散射電子會讓設計圖形周邊本不該曝光的光刻膠接收額外能量，造成非預期曝光。

在實際工藝中，鄰近效應會帶來多種典型缺陷。密集線條陣列會出現線寬偏大，而孤立單根線條線寬偏小，造成臨界尺寸均勻性變差；圖形拐角位置能量疊加，出現拐角圓化；線條末端能量不足，產生線端縮短問題。圖形密度越高，這種能量疊加越明顯，相同曝光劑量下，不同排布結構的實際線寬差異會持續拉大。加速電壓、光刻膠厚度、襯底材料原子序數都會改變散射電子的作用范圍。高原子序數襯底更容易產生背散射，會放大鄰近效應；光刻膠越厚，電子散射路徑更長，圖形畸變也會更加明顯。

針對鄰近效應，行業主流采用鄰近效應校正算法，通過計算機模擬電子能量分布，對不同區域的曝光劑量或者圖形幾何尺寸做預補償。在繪制圖形前，預先降低密集區域曝光劑量、提升孤立圖形的曝光劑量，或是對圖形輪廓做預變形，抵消散射帶來的能量偏差。除此之外，也可以優化工藝參數，選用合適加速電壓，控制光刻膠厚度，搭配低原子序數襯底，減少背散射電子的產生。部分場景還會采用 GHOST 校正法，使用低劑量的輔助曝光圖形平衡周邊能量。

鄰近效應無法完全消除，只能通過仿真、工藝參數迭代與圖形預修正進行抑制。在亞 10 納米的精細結構制備場景，鄰近效應校正的精度直接決定器件性能，工藝人員需要結合襯底類型、光刻膠體系、圖形密度，反復仿真驗證，才能穩定獲得符合設計要求的納米圖形。