鄰近效應是電子束光刻工藝里難以完全消除的固有物理現象。高能電子轟擊樣品后，一部分電子會發生前向散射，還有部分電子穿透表層材料后產生背散射，向周邊區域擴散。即便只對設計圖形區域進行曝光，散射電子也會讓圖形周邊的光刻膠發生額外曝光，造成線條膨脹、拐角區域圓化，密集陣列圖形與孤立線條之間出現明顯尺寸差異。

圖形密度越高，鄰近效應帶來的影響越突出。密集線條區域相互接收散射電子，整體線寬偏大；孤立線條缺少周邊散射貢獻，線寬偏小，同一版設計圖形出現尺寸不一致，直接影響微納器件電學性能。目前主流改善方案為鄰近效應校正，通過算法預先調整各區域曝光劑量，高密度圖形降低曝光劑量，孤立線條適當提升劑量；也可采用更薄的光刻膠層、降低加速電壓，減小電子背散射范圍。

校正方案沒有統一標準，不同加工基底材料、光刻膠類型，散射參數各不相同，需要通過多次試樣標定校正模型。在高精度納米結構制備場景下，鄰近效應校正屬于必不可少的工藝環節，能夠大幅提升圖形尺寸均勻性，保障成品良率。