無掩膜光刻機采用投影式光學曝光方式，光線垂直或者小角度入射到光刻膠層內部，一部分光會在光刻膠與基底的分界面發生反射，反射光和入射光相互干涉，在光刻膠膜層內部形成周期性強弱交替的駐波場，直接改變光刻膠縱向方向上的曝光能量分布。光刻膠內部的光強沿著膜厚方向起伏變化，對應的感光反應程度隨之出現分層差異，顯影完成之后，圖形側壁上會形成規律的波浪狀起伏紋路，側壁粗糙度上升，嚴重時還會造成局部線寬上下不一致。

不同型號的無掩膜光刻機光源相干度、偏振狀態、入射角度參數性能各不相同，駐波的干涉強度也有明顯區別，相干性更高的光源駐波效應會更加顯著。光刻膠膜厚、基底材料反射率是關鍵影響因素，硅基底、金屬基底反射能力更強，更容易激發明顯駐波；光刻膠厚度如果剛好匹配干涉加強條件，側壁波紋缺陷會進一步加劇。這種形貌問題不會大幅度改變圖形頂面線寬，但是會惡化側壁垂直度，對于需要高陡直側壁的微流控結構、光柵器件、MEMS 結構而言，側壁波紋會直接影響后續鍍膜、刻蝕、鍵合等后續工藝的成品質量，是無掩膜光刻機光學曝光環節中很容易被忽略的光學干涉現象。