電子束光刻機在制備高密度微納圖形的工藝過程中，經常出現(xiàn)密集線條區(qū)域曝光過量、孤立線條曝光不足的現(xiàn)象，圖形角部發(fā)生圓化變形，關鍵尺寸出現(xiàn)明顯偏差，這就是典型的鄰近效應。高能電子束入射光刻膠層之后，會發(fā)生兩種散射行為，分別為前向散射與背向散射。前向散射是電子在光刻膠內部發(fā)生小角度偏轉，主要影響圖形邊緣輪廓，造成線條邊緣粗糙度上升；背向散射是高能電子穿透光刻膠層撞擊基底材料后反向回彈，將額外曝光能量沉積到目標圖形周邊區(qū)域，相鄰圖形之間會互相疊加曝光劑量。

圖形排布密度越高，劑量疊加作用就越明顯，陣列、網格等密集結構接收的總曝光能量遠大于獨立單根線條，造成同一片樣品上不同區(qū)域線寬不一致，陣列結構與單獨線條的尺寸差異超出工藝允許范圍。加速電壓、光刻膠厚度、基底材料類型都會改變電子散射的作用范圍與能量分布，加速電壓越高，電子穿透深度越大，背向散射的影響半徑隨之擴大；光刻膠越厚，前向散射帶來的邊緣彌散問題會更加突出。不同型號設備的磁透鏡參數(shù)、偏轉掃描系統(tǒng)性能存在差異，鄰近效應的表現(xiàn)程度各不相同，不能直接套用相同的劑量校正方案。在高精度微納加工工藝中，需要提前開展劑量仿真模擬，根據(jù)版圖結構、基底材質以及設備固有參數(shù)，完成鄰近效應校正，降低尺寸偏差帶來的工藝報廢風險，保障整片樣品圖形尺寸均勻穩(wěn)定。