無掩膜光刻機使用單色光源進行投影曝光時，容易在光刻膠層內部產生駐波效應，直接影響圖形輪廓質量。現象為曝光后光刻膠側壁出現周期性波浪狀起伏，線條側壁粗糙度明顯升高，臨界尺寸沿膠厚方向不均勻，頂部和底部線寬不一致。在薄膠工藝中駐波影響相對輕微，當光刻膠厚度接近曝光光源半波長的整數倍時，條紋缺陷會非常顯著，顯影后側壁呈現明暗相間的波紋結構，后續刻蝕轉移圖形時，波紋會被傳遞到基底上，造成器件結構形貌劣化。不同品牌型號無掩膜光刻機采用的光源波長、光譜帶寬、照明偏振控制性能參數不同，單色性強的窄帶光源駐波效應會更加突出，寬光譜光源能夠在一定程度上削弱駐波。

成因：入射曝光光到達光刻膠與基底界面時發生反射，反射光與入射光在光刻膠薄膜內部發生干涉，形成周期性強弱交替的光強分布；光強峰值區域光刻膠充分感光，谷值區域感光不足，顯影之后就形成周期性側壁波紋；基底材料反射率越高，反射光強度越大，駐波干涉現象越明顯；光刻膠厚度沒有做消反射匹配，進一步放大干涉效果。

改善方案：在光刻膠底層旋涂抗反射涂層，降低基底界面的光反射，從源頭削弱入射光與反射光之間的干涉；調整光刻膠厚度，避開產生強干涉的厚度區間；選用光譜帶寬更寬的光源，破壞相干干涉條件；增加曝光后烘烤步驟，緩解感光組分濃度分布差異，弱化駐波帶來的形貌起伏；工藝調試階段，對比不同機型光源相干性指標，高分辨率加工場景可優先配置寬譜照明模塊。