電子束光刻中化學放大膠的曝光后酸擴散現象，是制約高密度納米圖形邊界銳利度的一類固有物理化學行為。在高能電子入射抗蝕劑層完成曝光之后，曝光區域內部會生成光酸，后續烘烤過程提供熱激活條件，光酸會沿著抗蝕劑薄膜內部做橫向遷移，遷移距離和烘烤溫度、保溫時長、抗蝕劑基體分子結構、淬滅劑含量直接相關，即便電子束本身的束斑控制、散射補償都處于穩定狀態，酸的橫向擴散依然會讓原本界限清晰的曝光區域向外延展，線條側壁發生圓滑過渡，密集線柵結構中相鄰線條之間的隔離區域會被擴散過來的酸持續作用，造成線寬持續偏移，線條邊緣粗糙度同步抬升。這種效應和電子在襯底中的背散射帶來的經典鄰近效應來源不同，背散射屬于能量沉積層面的空間疊加，而酸擴散屬于曝光完成之后、顯影之前發生的二次橫向傳遞過程，在小周期密集圖形、極薄抗蝕劑體系中表現會格外突出，不同型號的化學放大抗蝕劑本身的酸擴散系數存在明顯差異，對應的圖形失真程度也會拉開差距，直接影響器件結構的尺寸一致性，很多微小的線寬偏差溯源時，往往容易和電子光學的像散、束流漂移信號混淆，增加工藝結果的判斷難度。