電子束光刻機在加工高密度微納圖形陣列時，經(jīng)常出現(xiàn)實際線寬與設(shè)計版圖出現(xiàn)明顯偏差，密集區(qū)域線條變寬、孤立線條尺寸偏小，部分間距較小的圖形發(fā)生粘連融合，直接降低納米級結(jié)構(gòu)的加工良率，制約器件性能指標(biāo)的一致性。不同設(shè)備的電子槍加速電壓、抗蝕劑厚度、基底材質(zhì)都會改變散射程度，相同版圖在不同工況下尺寸偏移程度存在明顯差異。

該現(xiàn)象主要來源于電子在抗蝕劑以及基底內(nèi)部發(fā)生的散射作用，分為前向散射與背向散射兩類。入射電子進入抗蝕劑層發(fā)生小角度前向散射，會輕微拓寬電子束作用范圍；部分電子穿透抗蝕劑抵達(dá)基底，經(jīng)過大角度散射后重新返回抗蝕劑內(nèi)部，在遠(yuǎn)離束斑的位置額外釋放能量，造成非目標(biāo)區(qū)域被間接曝光nanolithog...。圖形排布密度越高，周邊散射能量疊加越顯著，就會出現(xiàn)密集圖形過曝、孤立圖形曝光不足的現(xiàn)象。加速電壓選擇不合理、鄰近效應(yīng)校正參數(shù)匹配不當(dāng)、基底原子序數(shù)偏高、抗蝕劑膜厚過大，都會進一步放大尺寸偏移問題。版圖數(shù)據(jù)預(yù)處理階段沒有針對圖形密度做差異化劑量補償，也會加劇同一批次內(nèi)部不同區(qū)域的尺寸離散。